【會(huì)議通知】2024年第三屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)

第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，有許多不可替代的優(yōu)異性質(zhì)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，是國(guó)家重大需求和國(guó)際高科技產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，正處于產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵窗口期。

以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)功率模塊小型化、輕量化。主要應(yīng)用于新能源汽車/充電樁、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的“門面”之一，隨著技術(shù)的不斷升級(jí)，性能被進(jìn)一步開發(fā)，開始強(qiáng)勢(shì)“破圈”，不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)，而是向新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源等高速發(fā)展的熱門領(lǐng)域持續(xù)推進(jìn)。數(shù)據(jù)顯示，2022年全球氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.8億美元，到2026年將有望達(dá)13.3億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)65%。

第三代半導(dǎo)體寫入“十四五”規(guī)劃后，市場(chǎng)上對(duì)該半導(dǎo)體的需求和要求越來越高，市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)穩(wěn)定升高，行業(yè)也將在市場(chǎng)的催化下迭代升級(jí)，產(chǎn)品性能功能也將不斷完善。未來，在市場(chǎng)規(guī)模趨勢(shì)方面，我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)保持高速增長(zhǎng);在細(xì)分產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)方面，SiC需求將會(huì)增長(zhǎng)，GaN應(yīng)用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展;在技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)方面，大尺寸Si基GaN外延等問題將會(huì)有所進(jìn)展。

半導(dǎo)體在線分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導(dǎo)體會(huì)議，與會(huì)人員累計(jì)超過1500人，并得到了與會(huì)者的一致好評(píng)。為了促進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的相互交流與合作，半導(dǎo)體在線將于2024年3月28日-29日（27日簽到）在蘇州組織召開2024年第三屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)，旨在提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺(tái)，推動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。